"); //-->
中微具有自主知识产权的MOCVD设备PRISMO HiT3®,是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备,反应腔最高温度可大达1400摄氏度,单炉可生长18片2英寸外延片,并可延伸到4英寸晶片。 中微高温MOCVD设备PRISMO HiT3专为深紫外LED量产而设计,是目前业内紫外LED产能先进的高温MOCVD设备。
MOCVD设备PRISMO HiT3过滤器滤芯
*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。
eleaction01 阅读:10688