中微具有自主知识产权的MOCVD设备PRISMO HiT3®，是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可大达1400摄氏度，单炉可生长18片2英寸外延片，并可延伸到4英寸晶片。 中微高温MOCVD设备PRISMO HiT3专为深紫外LED量产而设计，是目前业内紫外LED产能先进的高温MOCVD设备。

MOCVD设备PRISMO HiT3过滤器滤芯

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